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三星抑制存储产能,国产芯片恐受阻

作者:企业网出处:论坛2018-07-23 10:15

  存储市场最近因为芯片价格的暴涨,越发的热闹。

  据统计,2017年NAND和DRAM销售总额高达1320亿美元,比2016年的800亿美元增长了65%。销售额暴涨的重要原因之一,就是NAND和DRAM价格疯涨。其中幕后的黑手就是三星,毕竟三星在存储芯片市场的份额非常高,只要联合同为韩国企业的SK海力士,就可以轻易操纵市场。

  近年来,长江存储等一批企业开始攻关存储芯片,意图摆脱三星、SK海力士、东芝、镁光、闪迪等厂商的掣肘。然而,三星的两个举措很有可能是在为狙击中国存储芯片做准备。

  一是三星刻意控制产能,防止存储芯片价格下滑。由于三星可以控制产量,直接导致美国一些半导体设备厂商的设备出货量在短期内下滑了20%左右。三星之所以要这样做,极有可能是想在国产存储芯片上市前,再大赚一笔钱,存储充足的弹药,为将来和国产存储芯片打价格战做准备。

  另一个消息是三星在不久前宣布其第五代V-NAND正式量产。新一代存储芯片在存储与内存之间的数据传输率高达1.4Gbps,比上代64层堆叠提升了40%。电压从1.8V降至1.2V,性能功耗比有所提高。

  此外,韩国媒体报道,三星计划扩大韩国平泽工厂。如果国产存储芯片上市之时,三星开始暴产能,而且是最新的第五代V-NAND,国产存储芯片将面临技术和成本双重竞争,将会处于非常不利的局面。

  如果三星、SK海力士、镁光、东芝等国外厂商联手绞杀,国产存储芯片将会处于非常尴尬的境地,可能会遭遇比京东方早年还要严重的亏损。中国存储芯片逆袭之路,恐怕不会很顺利,没准也要经历10年内连年亏损这样一个过程。

  希望国产芯片能够迎难而上,在存储市场站稳自己的脚步。

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关键词:三星存储市场,国产芯片市场,芯片市场

责任编辑:林音子

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